Недавно мы разговаривали с Л.Ф.Мараховским о его разработках [1,2]. Реконфигурируемая архитектура, новые элементы памяти…. Это как же?

… вот сходу: 1) мои многофункциональные автоматы способны быть многоуровневыми, перестраиваться и работать в автоматном беспрерывном времени, что автоматы Мили и Мура, на которых построены все современные устройства, не могут. 2) мои схемы памяти способны перестраивать свою работу и имеют преимущества по аппаратурным затратам, повышенную надежность ()при 50% выхода из строя элементов в памяти, она способна работать как память) и функциональным возможностям (имеют 5 новых переходов, а триггера осуществляют только один и не могут перестраивать свою работу. 3) в программном отношении, мои программы в процессоре могут перестраиваться за один такт, а в современных процессорах с памятью на триггерах нет., хотя при разработке в России совместно с Белоруссией  супер-ЭВМ "СКИФ" писали, как достижение, что у них программы переключаются за один такт, правда, не писали за счет чего.

Кроме того, введен новый четвертый уровень управления милипрограммный, помимо того, что используется в настоящее время: алгоритмический, программный и микропрограммный. Этот уровень вместе с микропрограммным уровнем одновременно способен обрабатывать иерархическую информации (общую и частную), что не в состоянии обрабатывать устройства управления с памятью на триггерах..

Почему я продолжаю свои работы? Да потому, что я сделал новый шаг и в теории автоматов, в создании реконфигурированных схем памяти и в структуре программного обеспечения, что на мой взгляд даст новый импульс построения обучаемых устройств….

В этом разговоре где-то и проскочила такая информация с форума:

Vadim - IBM в рамках программы DARPA SyNAPSE построила программно эмулируемую нейросеть из 530 миллиардов нейронов и 100 триллионов синапсов на компьютере Lawrence Livermore National Lab (LBNL) Blue Gene/Q Sequoia (1572864 processor cores, 1.5 PB memory, 98,304 MPI processes, and 6,291,456 threads).

Иоган - Команда продемонстрировала искусственный синапс, состоящий из матрицы мемристоров, которая была расположена на подложке кристалла и окружена логическими и управляющими цепями на основе традиционной CMOS-логики (complementary metal-oxide semiconductor). Используя логические схемы можно сконфигурировать мемристорные цепи таким образом, что они будут выполнять функции памяти и функции обработки данных одновременно, т.е. точно так, как синапсы биологического происхождения.

Данная работа проводилась в рамках программы SyNAPSE (Systems of Neuromorphic Adaptive Plastic Scalable Electronics) Управлениея перспективных исследовательских программ Пентагона DARPA. Стоит отметить, что создание этого искусственного синапса стало результатом разработки учеными лаборатории HRL концепции нейроморфных систем, моделью для которых были биологические системы, и разработка которых велась с 2008 года в рамках все той же программы SyNAPSE.

Грандиозный проект, огромные перспективы. Это количественно даже больше, чем количество нейронов человеческого мозга. А в основе какой-то мемристор…

Я на своем веку слышал много названий элементов электроники. Разных. Резистор, нувистор, динистор, тиристор, транзистор, семистор, …, список можно и продолжить. Названия двадцатого века систематичны и потому похожи, а вот функции всех этих элементов различны. Но, вот появился новый элемент. Мемристор. Мы о нем практически ничего не знаем.

Читаем в Википедии:

Мемристор (англ. memristor, от memory — память, и resistor — электрическое сопротивление) — пассивный элемент в микроэлектронике, способный изменять своё сопротивление в зависимости от протекавшего через него заряда (интеграла тока за время работы).

Может быть описан как  двухполюсник  с нелинейной вольт-амперной характеристикой, обладающий гистерезисом.

Попробуем перевести написанное.

Это отдельный элемент электрической схемы, содержащий исходно два вывода. При подключении к электрической батарее через мемристор протекает электрический ток. Величина тока как-то меняется во времени, в том числе и в зависимости от приложенного напряжения батареи. Для восстановления свойств памяти мемристора необходимо менять полярность подключения батареи.

формате PDF (765Кб)